Методика вимірювань розподілу хімічних елементів по товщині, товщини багатошарових твердотільних покриттів та ідентифікації їх елементного складу

д.ф-м.н. Романюк Б.М., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України

Відео записано під час проведення Міжнародної Технологічної зустрічі

 

Короткий опис:

В основі запропонованої методики вимірювать розподілу хімічних елементів по товщині, товщини багатошарових твердоітльних покриттів та ідентифікації їх елементного складу є метод мас-спектрометрії вторинних постйонізованих нейтральних часток № МВВ 081/12-0855-13. Ця методика дає змогу визначати компонентний склад шаруватих структур з високою роздільною здатністю за глибиною (1-2 нм). Для забезпечення кількісного аналізу мас-спектрометричних дослідженнях створено, за допомогою методу йонної імплантації, набір еталонних зразків.

Переваги:

Методика дає змогу проводити кількісній мас-спектрометричний аналіз компонентного складу шаруватих структур з високою роздільною здатністю за глибиною (1-2 нм). Дослідження можна проводити і на провідних, і на діелектричних підкладинках.

Області застосування:

Наноелектроніка, оптоелектроніка та матеріалознавство.

Контактна інформація: romb@isp.kiev.ua